Лашкарьов Вадим Євгенович | Історія ІТ в Україні
Lashkarev

Лашкарьов Вадим Євгенович

Науковець Вадим Євгенович Лашкарьов, один із «батьків» транзистора, без якого не може обійтися жодна сучасна цифрова техніка, робив свої відкриття у важких умовах: від сталінського заслання до праці у воєнні роки. Та, незважаючи на всі життєві негаразди, він подарував світові таке явище, як p-n перехід, теорію фотоелектрорушійної сили в напівпровідниках і ще багато чого.

Вадим Євгенович Лашкарьов народився 7 жовтня 1903 року в Києві. Після революції він закінчив Київський університет, де до 1930 року був аспірантом і працював на кафедрі фізики. Відтак на запрошення академіка Абрама Йоффе він їде до Ленінграда, де завідує лабораторією в Ленінградському фізико-технічному інституті й працює над дифракцією повільних та швидких електронів. Свої тогочасні піонерські дослідження розподілу густини електронів у кристалах Лашкарьов узагальнив у монографії «Дифракція електронів». Ці праці мали таку величезну вагу, що у 1935 році він, не захищаючи дисертації, здобув ступінь доктора фізико-математичних наук.

Але наукові заслуги не врятували видатного вченого. 27 лютого 1935 року Лашкарьова заарештували за «участь у кримінальному угрупованні містичного характеру» і після того, як він три місяці відсидів у тюремній камері-одиночці, вислали до Архангельська. Там він став завідувачем кафедри Архангельського медичного інституту.

Тоді одним із його студентів був відомий Микола Михайлович Амосов. Згадуючи 1937 рік, Амосов припустив, що Лашкарьова вислали з Ленінграда за спіритизм. Якби провина Вадима Євгеновича була тяжча, то він як «ворог народу» найімовірніше опинився б у таборі, а не викладав би в інституті. Саме Вадим Євгенович відкрив Амосову «дивосвіт»: спіритизм, телепатію, телекінез, левітацію, полтергейст, йогу. За словами Амосова, Лашкарьов брав участь у багатьох спіритичних сеансах і все життя вірив у потойбічні сили, дарма що був серйозним ученим, якому вірити в такі «дурниці» не личило. Однак сам Амосов, познайомившися з Лашкарьовим, теж зацікавився цією «антинауковою» цариною, яку Вадим Євгенович називав «інша фізика», але її істинності так і не довів.

Повернутися із заслання Лашкарьов зміг лише за чотири роки.  У 1939 році він приїхав до Києва та обійняв посаду завідувача відділу Інституту фізики АН УРСР, на якій пропрацював 21 рік. Із 1944 до 1957 року Лашкарьов, працюючи в Інституті фізики, також завідував кафедрою фізики Київського національного університету. Обидва інститути під час війни евакуювали на Урал. Допомагаючи фронту, Лашкарьов розробив купроксний діод для польових армійських радіостанцій і домігся виробництва цих діодів на одному з заводів. Науковець зберіг один такий діод і передав його синові. Тепер діод можна побачити в одному з музеїв Києва.

У 1950-і й 1960-і рр. Лашкарьов активно досліджував фізичні властивості напівпровідників, одночасно працюючи в галузі оптики рентгенівського проміння, дифракції електронів та біофізики. Рентгенівське проміння Лашкарьов почав вивчати ще тоді, як закінчив університет. У 1926 році разом з Володимиром Линником він розробив метод визначення показника заломлення рентгенівських променів.

Ще в Києві 1941 року Лашкарьов запропонував метод термозонду для вивчення розподілу питомого опору залежно від глибини бар’єрного шару. Так він уперше виявив p-n перехід у закису міді. Результати досліджень були викладені в статтях «Дослідження бар’єрних шарів методом термозонда» і «Вплив домішок на вентильний фотоефект у закису міді» (у співавторстві з К. М. Косоноговою) й опубліковані незадовго перед початком Великої вітчизняної війни. За відкриття «транзисторного ефекту» і створення 1947 року площинного транзистора американські вчені Джон Бардін, Вільям Шоклі й Волтер Браттейн здобули 1956 року Нобелівську премію в галузі фізики. Серед кандидатів на цю нагороду українського радянського фізика Лашкарьова, що відкрив p-n перехід на сім років раніше за американців, не було. Тим часом під його керівництвом на початку 50-х років в Інституті фізики АН України розпочалося виробництво точкових транзисторів.

Відкриття p-n переходу і дослідження впливу домішок у напівпровідниках - не єдиний внесок Лашкарьова у фізику. У 1946 році він відкрив біполярну дифузію нерівноважних струмоносіїв, а в 1948 році виклав загальну теорію фотоелектрорушійної сили в напівпровідниках. У 1950 році Лашкарьов разом із В. І. Ляшенком опублікували статтю «Електронні стани на поверхні напівпровідника», де описали результати досліджень поверхневих явищ у напівпровідниках, які згодом лягли в основу функціонування інтегральних схем на базі польових транзисторів.

Лашкарьов також з’ясував механізм інжекції — дуже важливого явища, на якому ґрунтується дія напівпровідникових діодів і транзисторів. До того ж він фундаментально дослідив фотоелектричні явища в напівпровідниках, зокрема механізм виникнення й закономірності фотоелектрорушійної сили, лінійну й нелінійну провідність, поверхневі, електрофізичні та інші властивості провідників, електронні процеси в сполуках AIIBVI, механізм дії напівпровідникових приладів.

На знак пошани до результатів цієї вагомої праці 1960 року створено Інститут напівпровідників НАН України. Очолив його сам Лашкарьов.

Науковій діяльності Лашкарьова притаманні такі риси, як глибоке розуміння фізичної суті процесів, образність інтерпретації, широке застосування принципу моделей і аналогій. Надзвичайно високий рівень наукових дискусій, що їх вів Лашкарьов, привертав до нього багатьох здібних учнів. Бувши завідувачем кафедри фізики напівпровідників Київського університету, він створив один із перших загальноосвітніх курсів лекцій, присвячений напівпровідникам, і підготував велику когорту фахівців високого класу.

Глибоке знання літератури й історії, а також любов до музики робили Лашкарьова одним з найосвіченіших людей свого часу. Він користався повагою багатьох визначних науковців з різних галузей. Близькими друзями Лашкарьова були В. П. Філатов, І. В. Курчатов, А. І. Аліханов, А. І. Ачіханьян, Б. М. Вул, А. Ф. Йоффе та інші вчені.

Лашкарьов — піонер інформаційних технологій в Україні та СРСР у царині транзисторної елементної бази засобів обчислювальної техніки. Було б цілком слушним вважати його одним з основоположників транзисторної мікроелектроніки. У 2002 році на честь Лашкарьова названо Інститут напівпровідників НАН України, що його заснував колись цей видатний учений.